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20V 4A SOT-23 P-MOS
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20V 4A SOT-23 P-MOS

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기본 정보

모형: ATM2301APSA

인증: RoHS, CE, ISO

모양: 다른

차폐 형: 다른

냉각 방식: 당연히 냉각 된 튜브

기능: 스위치 트랜지스터

작동 빈도: 낮은 빈도

구조: 평면

캡슐화 구조: 칩 트랜지스터

파워 레벨: 작은 힘

자료: 규소

Additional Info

포장: T / R

생산력: 2KK/M

상표: 에이거 테크

수송: Ocean

원산지: 중국

공급 능력: formal

인증 : ISO9001,ISO16949,ISO14001,ISO18001,QC080000

HS 코드: 8541100000

포트: Shenzhen Shekou

제품 설명

ATM2301APSA는 SOT23 패키지로 제공되는 P- 채널 강화 모드 전계 효과 트랜지스터입니다. 드레인 - 소스 전압 : -20V 및 드레인 전류 : -4A. ATM2301APSA 의 주요 특징 은 트렌치 FET 전력 MOSFE, 탁월한 RDS (on) 및 로우 게이트 충전, R DS (ON) <90mΩ (V GS = -4.5V) 및 R DS (ON) <110mΩ (V GS = -2.5) V). 주요 응용 분야는 DC / DC 컨버터, 휴대 장치 용 부하 스위치, 배터리 스위치입니다.


절대 최대 정격 (다른 언급이없는 한 Ta = 25 ℃)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

VDS

-20

V

Gate-Source Voltage

VGS

±12

V

Continuous Drain Current

ID

-4

A

Pulsed Drain Current

IDM

-16

A

Power Dissipation

PD

0.83

W

Thermal Resistance from Junction to Ambient

RθJA

357

/W

Junction Temperature

TJ

150

Storage Temperature

TSTG

-55~ +150


전기적 특성 (T A = 25 o C, 달리 명시하지 않는 한) 유명한)

Parameter

Symbol

Test Condition

Min.

Typ.

Max.

Unit

Static Characteristics

Drain-source breakdown voltage

V(BR)DSS

VGS = 0V, ID =-250µA

-20



V

Zero gate voltage drain current

IDSS

VDS  =-16V,VGS  = 0V



-1

µA

Gate-body leakage current

IGSS

VGS  =±12V, VDS  = 0V



±100

nA

Gate threshold voltage

VGS(th)

VDS =VGS, ID =-250µA

-0.5

-0.7

-1

V

Drain-source on-resistance1)

RDS(on)

VGS = -4.5V, ID = -0.5A


70

90

mΩ

VGS  = -2.5V, ID = -0.5A


90

110

Forward transconductance1)

gFS

VDS  =-5V, ID =-2A

5



S

Dynamic characteristics2)

Input Capacitance

Ciss

 

VDS  =-10V,VGS  =0V,f =1MHz


405


pF

Output Capacitance

Coss


75


Reverse Transfer Capacitance

Crss


55


Gate resistance

Rg

f =1MHz


6


Total Gate Charge

Qg

 

VDS =-10V,VGS =-2.5V,ID=-3A


3.3

12

nC

Gate-Source Charge

Qgs


0.7


Gate-Drain Charge

Qgd


1.3


Turn-on delay time

td(on)

 

VDD=-10V,VGEN=-4.5V,ID=-1A RL=10Ω,RGEN=1Ω


11


ns

Turn-on rise time

tr


35


Turn-off delay time

td(off)


30


Turn-off fall time

tf


10


Source-Drain Diode characteristics

Diode Forward voltage

VDS

VGS  =0V, IS=-1.25A


-0.7

-1.3

V



노트:

1) 펄스 테스트 : 펄스 폭 <300μs, 듀티 사이클 ≤2 %.

2) 디자인에 의한 보증, 생산에 의하지 않음 테스트.

Field Effect Transistor






제품 디렉토리 : P 채널 MOSFET

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