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중국 P 채널 MOSFET 공급 업체

금속 산화물 반도체 전계 효과 (MOS) 트랜지스터는 N- 채널과 P- 채널로 나눌 수있다. P- 채널 실리콘 MOS 전계 효과 트랜지스터는 N 형 실리콘 기판 상에 소스라고 불리는 두 개의 P + 영역을 가지고 있으며 드레인은 두 극 사이에서 전도성이 아니며 충분한 양의 전압 (게이트 접지)이 게이트 아래의 N 형 실리콘 표면은 P 형 반전 층을 나타내며, 소스 및 드레인을 연결하는 채널이된다. . 게이트 전압을 변경하면 채널의 홀 밀도가 변경되어 채널의 저항이 변경됩니다. 이러한 MOS 전계 효과 트랜지스터는 P 채널 강화 형 전계 효과 트랜지스터로 불린다. N 형 실리콘 기판의 표면에 게이트 전압이없는 경우, P 형 반전 층 채널이 이미 존재하고, 적절한 바이어스 전압이 채널의 저항을 증가 또는 감소시킬 수있다. 이러한 MOS 전계 효과 트랜지스터는 P- 채널 공 핍형 전계 효과 트랜지스터로 언급된다. 그것들은 집합 적으로 PMOS 트랜지스터라고합니다.
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